LM4041D12IDBZR
|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Ток выходной | 12mA |
| Ток катод | 80µA |
| Количество каналов | 1 |
| Температурный коэфициент | 150ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±1% |
| Напряжение выходное | 1.225V |
| Reference Type | Shunt, Precision |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Tolerance | ±1% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSMS-2825-BLKG | AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | Avago Technologies US Inc |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | 4 |
|
||||||
| HSMS-2825-BLKG | BRO/AVAG |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | BROADCOM/AVAGO |
|
|
|||||
| HSMS-2825-BLKG | BROADCOM |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | ONS | 3 956 | 11.40 | |||||
| LM293DR2G |
|
13.20 | ||||||
| LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 624 |
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS | 600 | 19.17 | |||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 93 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS | 28 708 | 3.63 | |||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 8 070 | 2.24 | |||||
| SMBJ28A-E3/52 | VISHAY |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 113 |
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 |
|
|
