![]() |
|
Корпус | SOT-23-3 |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Ток выходной | 12mA |
Ток катод | 80µA |
Количество каналов | 1 |
Температурный коэфициент | 150ppm/°C |
Допустимые отклонения емкости | ±1% |
Напряжение выходное | 1.225V |
Reference Type | Shunt, Precision |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Tolerance | ±1% |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74HC595D.118 |
![]() |
8Bit Shift Reg/Outp Latch | NXP |
![]() |
![]() |
|||
74HC595D.118 |
![]() |
8Bit Shift Reg/Outp Latch | NEX-NXP |
![]() |
![]() |
|||
74HC595D.118 |
![]() |
8Bit Shift Reg/Outp Latch | 4 000 | 15.25 | ||||
74HC595D.118 |
![]() |
8Bit Shift Reg/Outp Latch | 4-7 НЕДЕЛЬ | 32 |
![]() |
|||
LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LM293DR2G | ONS | 3 956 | 11.76 | |||||
LM293DR2G |
![]() |
13.20 | ||||||
LM293DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
LM293DR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 559 |
![]() |
|||||
LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
LM317LCDR | TEXAS | 600 | 19.38 | |||||
LM317LCDR |
![]() |
![]() |
||||||
LM317LCDR |
![]() |
![]() |
||||||
LM317LCDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 191 |
![]() |
|||||
![]() |
SDR0805-471KL |
![]() |
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 5 081 | 25.34 | ||
![]() |
SDR0805-471KL |
![]() |
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm |
![]() |
209.20 | |||
SS14 T/R | YJ |
![]() |
![]() |
|||||
SS14 T/R | MIC | 20 449 | 3.03 | |||||
SS14 T/R |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|