|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
DC COMPONENTS
|
4 880
|
11.98
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
|
8 240
|
6.60
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WTE
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MIC
|
8 460
|
8.01
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
JS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YJ
|
531
|
16.99
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WUXI XUYANG
|
1 260
|
11.86
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE
|
12 480
|
7.23
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY MICROELECTRONICS CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KOME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
HOTTECH
|
12 052
|
11.04
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
1
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
XUYANG
|
1 414
|
6.73
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
|
7 457
|
16.91
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
40
|
48.56
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
429
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
|
11
|
71.82
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS
|
13 475
|
19.24
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
576
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
86.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
1 169
|
25.53
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
17 485
|
26.20
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 900
|
21.07
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 284
|
27.81
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
24 592
|
30.69
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
24.80
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
HOTTECH
|
772 000
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
TRR
|
324 800
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|