| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
1 496
|
1.21
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
407 132
|
2.56
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
68 236
|
3.33
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
91 004
|
2.62
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
5.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
66 789
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
22
|
1.74
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
58 304
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 311
|
1.21
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
44 896
|
1.58
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
616
|
1.21
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
16 452
|
1.35
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
77 013
|
1.14
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1
|
1.15
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEEN SIDE
|
291 076
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
82582
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
81682
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TRR
|
394 703
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
71682
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
3 863
|
1.54
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
13 232
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
16 000
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
17 591
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
6
|
31.00
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
2 221
|
31.70
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
2 960
|
20.34
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
200
|
59.37
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
26 377
|
28.83
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
28 840
|
24.75
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
8 000
|
13.92
|
|
|
|
SS-5D |
|
Микроперключатель для платы контакты серебро до 4А, до 250В
|
Omron Electronics Inc-EMC Div
|
|
|
|
|
|
SS-5D |
|
Микроперключатель для платы контакты серебро до 4А, до 250В
|
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
|
3 160
|
198.72
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НЗПП
|
304
|
165.31
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСК
|
10
|
186.00
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
2
|
|
|
|