| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
3 986
|
1.42
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
13 232
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
16 000
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
18 651
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
ECAP 1000/10V 0814 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/10V 0814 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С
|
|
|
18.00
|
|
|
|
ECAP 1000/10V 0814 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/10V 0814 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С
|
JACKCON
|
704
|
6.36
|
|
|
|
ECAP 1000/10V 0814 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 10В, 105С
|
880
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 0820 105C MZ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 0820 105C MZ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В
|
JAM
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
168
|
28.25
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
7 610
|
19.61
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 520
|
21.41
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
212
|
55.26
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
32 548
|
30.45
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
23.79
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
912
|
15.63
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 323
|
15.48
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
|
2 976
|
253.92
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НЗПП
|
480
|
278.96
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
ДНЕПР
|
|
|
|