|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BCP51-16.115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51-16.115 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51-16.115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51-16.115 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
6
|
17.09
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
|
|
480.00
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
PIC16F648A-I/P |
|
Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O
|
MICRO CHIP
|
17
|
273.77
|
|
|
|
PIC16F648A-I/P |
|
Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O
|
|
|
258.12
|
|
|
|
PIC16F648A-I/P |
|
Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F648A-I/P |
|
Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F648A-I/P |
|
Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F648A-I/P |
|
Микроконтроллер PIC; EEPROM:256Б; SRAM:256Б; 20МГц; DIP18; 2÷5,5В,4Kx14 Flash 16I/O
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
301
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/ST |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/ST |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/ST |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/ST |
|
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/ST |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
494
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 195
|
31.28
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
2 011
|
33.98
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
809
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
3 366
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|