| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
233 726
|
1.22
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
9 721
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
42 112
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
960 024
|
1.54
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
24 243
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
15 200
|
2.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
247 053
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
109 630
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
20 520
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KEEN SIDE
|
1 814
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MERRYELC
|
273
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
988
|
1
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
|
30BQ040TRPBF |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040TRPBF |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040TRPBF |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040TRPBF |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040TRPBF |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
8 108
|
2.12
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
|
140
|
4.68
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MUR
|
235 766
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
12.49
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
46 667
|
7.23
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
24 368
|
16.65
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
9 600
|
4.13
|
|
|
|
|
LPC1768FBD100 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
LPC1768FBD100 |
|
|
|
|
1 544.00
|
|
|
|
|
LPC1768FBD100 |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
|
LPC1768FBD100 |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LPC1768FBD100 |
|
|
NXP
|
460
|
|
|
|
|
|
LPC1768FBD100 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
185
|
|
|