| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | LPC17xx |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 100MHz |
| Подключения | CAN, Ethernet, I²C, IrDA, Microwire, SPI, SSI, UART/USART, USB OT |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, Motor Control PWM, POR, PWM, WD |
| Число вводов/выводов | 70 |
| Размер программируемой памяти | 512KB (512K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 64K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.4 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 8x12b, D/A 1x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 100-LQFP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
4 908
|
2.12
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
|
140
|
4.68
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BLM21PG221SN1D |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
HOLTEK
|
143
|
74.20
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
|
3
|
55.50
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
HOLT
|
|
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
HOLTEK
|
24
|
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
HT1621B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
649
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
12.49
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
5 856
|
9.30
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
23 888
|
16.65
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
8 000
|
4.13
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
199.10
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
|
|
174.20
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
189
|
|
|
|
|
 |
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 344
|
14.50
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
|
|
26.48
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
102
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
760
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0A-TR |
|
The SMAJ series are TRANSILTM diodes designed specifically for protecting sensitive ...
|
64
|
|
|
|
Версия для печати
