LM2931CDR2 SO-8

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HEF4015BT	Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER	PHILIPS
HEF4015BT	Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER	NXP
HEF4015BT	Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER			313.84
HEF4015BT	Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER	NEXPERIA	846
HEF4015BT	Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER	NEXPERIA
HEF4015BT	Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER	4-7 НЕДЕЛЬ	561
LM2931CDR2G	Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA	ON SEMICONDUCTOR
LM2931CDR2G	Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2931CDR2G	Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA	ONS	850	101.35
LM2931CDR2G	Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA			46.72
LM2931CDR2G	Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA	ON SEMICONDUCTOR
LM2931CDR2G	Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA	4-7 НЕДЕЛЬ	49
LT455HW			328	51.80
LT455HW			328	51.80
КТ 645 А		RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		44	49.14
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 083	44.00
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	35	48.56