| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 420
|
48.20
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
|
560
|
45.89
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
STP55NF06 |
|
Полевой транзистор
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
Д 816 В |
|
Стабилитрон боьшой мощности
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
24
|
128.80
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
4
|
166.32
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
|
1 160
|
18.90
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
ТОМСК
|
39 128
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
БРЯНСК
|
1
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
2
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
2525
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
3098
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
39045
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
4192
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
50
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
35.91
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
454
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
