КТ 645 А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...		24	128.80
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	ВЛАДИКАВКАЗ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСК
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СИРИУС
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СЗТП	4	183.49
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	БОЛХОВСКИЙ ЗПП
КР 142 ЕН15А		RUS
КТ 117 Г		RUS
КТ626А			1 084	21.08
КТ626А		КРЕМНИЙ
КТ626А		ТОМСК	39 024	4.24
КТ626А		БРЯНСК	1	6.36
КТ626А		ВОРОНЕЖ
КТ626А		RUS
КТ626А		2
КТ626А		2525
КТ626А		3098
КТ626А		39045
КТ626А		4192
КТ626А		50
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	124	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		572	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР