| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
HA17741 |
|
1xOP +-18V 0,5V/us 0°.70°C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HA17741 |
|
1xOP +-18V 0,5V/us 0°.70°C
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
|
HA17741 |
|
1xOP +-18V 0,5V/us 0°.70°C
|
|
|
48.00
|
|
|
|
|
HA17741 |
|
1xOP +-18V 0,5V/us 0°.70°C
|
HIT
|
|
|
|
|
|
|
HA17741 |
|
1xOP +-18V 0,5V/us 0°.70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
611
|
|
|
 |
|
К 561 ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
24
|
128.80
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
4
|
183.49
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
|
1 160
|
21.08
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
ТОМСК
|
39 048
|
4.24
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
БРЯНСК
|
1
|
6.36
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
2
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
2525
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
3098
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
39045
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
4192
|
|
|
|
|
|
|
КТ626А |
|
|
50
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
124
|
39.04
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
382
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
