LM2931CDR2G
Стабилизатор напряжения c регулируемым выходом, 100mA
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Ток выходной | 100mA |
| Число регуляторов | 1 |
| Напряжение - падение (Typ.) | 0.16V @ 100mA |
| Напряжение входное | Up to 40V |
| Напряжение выходное | 2.7 V ~ 29.5 V |
| Топология регулятора | Positive Adjustable |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | 56 | 173.88 | ||
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | NSC |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | 1 |
|
|
|
|
|
|
LM386M-1 |
|
ИМС УНЧ 5Вт | 4-7 НЕДЕЛЬ | 227 |
|
|
| LT455HW | 328 | 52.08 | ||||||
| LT455HW | 328 | 52.08 | ||||||
| КТ 645 А | RUS |
|
|
|||||
| КТ 646 А | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 168 | 63.00 | ||
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 8 | 46.85 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 800 | 21.48 | |
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 35 | 48.56 |
