|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
1 104
|
5.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
3 130
|
1.43
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
40 412
|
1.40
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 267
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
237
|
4.25
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
1 965
|
2.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.42
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
4 388
|
3.07
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
36 912
|
2.11
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
22 820
|
1.98
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
320
|
3.15
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
15 963
|
1.83
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
363
|
3.16
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
13 600
|
2.43
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
14 552
|
1.43
|
|
|
|
AT17LV010A-10PI |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT17LV010A-10PI |
|
|
|
|
39.16
|
|
|
|
AT17LV010A-10PI |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
680
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
443 396
|
2.07
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
28 130
|
2.58
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
4 596
|
2.83
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
283
|
2.69
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
13 784
|
2.34
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
|
16
|
75.60
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LP2950CZ-3.3 |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
537
|
|
|