|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SuperMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 910pF @ 25V |
| Power - Max | 30W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220FP |
| Корпус | TO-220FP |
|
STP9NK50ZFP (MOSFET) N-CHANNEL 500V - 0.72? - 7.2A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK2485 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 6A, 100W | NEC |
|
|
||
|
|
2SK2485 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 6A, 100W |
|
174.72 | |||
| FOK14B001 |
|
|
||||||
| ICE2PCS01G | INFINEON |
|
|
|||||
| ICE2PCS01G |
|
180.00 | ||||||
| ICE2PCS01G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| ICE2PCS01G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 270 |
|
|||||
|
|
L/H KSS213C |
|
Лазерная головка для CD | SONY |
|
|
||
|
|
L/H KSS213C |
|
Лазерная головка для CD |
|
848.00 | |||
|
|
L/H KSS213C |
|
Лазерная головка для CD | UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
STP30NF10 |
|
Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP30NF10 |
|
Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP30NF10 |
|
Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R | МАРОККО |
|
|
|
|
|
|
STP30NF10 |
|
Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP30NF10 |
|
Транзистор N-Канальный 100V 35A 115W 0,045R |
|
|