| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
|
22 806
|
1.27
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
OTHER
|
3 972
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
PANJIT
|
732
|
1.13
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
RUME
|
18 800
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
916
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
380
|
11.34
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
28 740
|
2.76
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
897
|
2.26
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
2 688
|
2.14
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
RUME
|
8 000
|
1.20
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
2694
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
2692
|
|
|
|
|
|
HER308 (3A 1000V) |
|
диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
256
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
1 144
|
42.16
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
30.01
|
|
|
|
|
К78-2-0.01МКФ 2000В (10%) |
|
|
|
|
|
|