|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
190 959
|
1.62
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
90 933
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
127
|
1.82
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.45
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
625 389
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
130 589
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
515 508
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
108 000
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
263 760
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
XXW
|
8 415
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 639
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
220
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
3 040
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
79 056
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
1 138 916
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
65 600
|
3.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.11
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 096 779
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
111 880
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
507 822
|
1.06
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
541 171
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
|
50 301
|
1.22
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
DC COMPONENTS
|
37
|
2.25
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
9 611
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
MPN
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
14 827
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
YJ
|
234 342
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
JSCJ
|
70 144
|
1.02
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
SUNTAN
|
29 377
|
1.71
|
|
|
|
BZX84C4V7 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=4.7V, Izt=5mA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
IRLL014N |
|
Транзистор полевой SMD
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
71.82
|
|
|
|
IRLL014N |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
8
|
31.45
|
|
|
|
IRLL014N |
|
Транзистор полевой SMD
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
88
|
|
|
|
|
IRLL014N |
|
Транзистор полевой SMD
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRLL014N |
|
Транзистор полевой SMD
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLL014N |
|
Транзистор полевой SMD
|
EVVO
|
2 559
|
7.77
|
|
|
|
KB814 |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=20..300% 0.2W -30..+100C AC вход NBC
|
KB
|
|
|
|
|
|
KB814 |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=20..300% 0.2W -30..+100C AC вход NBC
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KB814 |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=20..300% 0.2W -30..+100C AC вход NBC
|
|
|
23.72
|
|
|
|
KB814 |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=20..300% 0.2W -30..+100C AC вход NBC
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KB814 |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=20..300% 0.2W -30..+100C AC вход NBC
|
KGB
|
|
|
|
|
|
KB814 |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=20..300% 0.2W -30..+100C AC вход NBC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
711
|
|
|