IRLL014N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLL014N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	4	71.82
IRLL014N	8	31.45
IRLL014N (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	88	3-4 недели Цена по запросу
IRLL014N (EVVO)	210	6.75

Версия для печати

Технические характеристики IRLL014N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	230pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLL014N (N-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLL014N datasheet
160.34Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 1КОМ 5%	Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В	MASTER CHIP
0805 1КОМ 5%	Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В
0805-X7R-50-0.1МКФK		HITANO
0805-X7R-50-0.1МКФK		MURATA
0805-X7R-50-0.1МКФK		VISHAY
0805-X7R-50-0.1МКФK		YAGEO
0805-X7R-50-0.1МКФK		AVX
0805-X7R-50-0.1МКФK		KEMET
BSP110	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS
BSP110	N-channel enhancement mode field-effect transistor	NXP
BSP110	N-channel enhancement mode field-effect transistor			106.00
BSP110	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS
BSP110	N-channel enhancement mode field-effect transistor	NXP
PHU-04
UC2846N		TEXAS INSTRUMENTS
UC2846N		UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS
UC2846N			40	440.00
UC2846N		TEXAS INSTRUMENTS
UC2846N		UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
UC2846N		TEXAS
UC2846N		4-7 НЕДЕЛЬ	146