| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 2V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
470МКФ 35 (10X16)105°C |
|
Алюминиевый электролитический конденсатор 470мКФ, 35В, (10X16), 105°C ТК
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 673
|
2.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
224
|
1.35
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
7 400
|
2.74
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.02
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 398
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 384
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
179 594
|
1.50
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
57 498
|
1.13
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
5 111
|
1.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
57 559
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
50 724
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
76 800
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
67 200
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
|
36 672
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
HOTTECH
|
3 304
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
YJ
|
488
|
1.96
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
2090
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V9 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 3.9 V
|
NXP
|
4 297
|
2.12
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
GS
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
FAIRCHILD
|
310
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
|
4 167
|
3.28
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
DF04S |
|
Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)
|
KEEN SIDE
|
4 378
|
2.76
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
70
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
|
40
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INFINEON
|
|
|
|