Версия для печати
Технические характеристики IRF7907TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	NXP
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт			37.48
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS	4
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	ГЕРМАНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	87 139	6.97
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A		4	18.00
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MUR	278 600	5.95
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA	85 564
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	Murata Electronics North America
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	ЯПОНИЯ
		BLM31PG601SN1L		Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A	MURATA*
		LM1117MP-3.3			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117MP-3.3			NSC
		LM1117MP-3.3					64.40
		LM1117MP-3.3			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117MP-3.3			TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117MP-3.3			TEXAS
		LM1117MP-3.3			4-7 НЕДЕЛЬ	209
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	41 068	4.21
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		47 936	2.33
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet			88.00
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	STMicroelectronics
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"