293D226X9035E2TE3

Версия для печати

Технические характеристики 293D226X9035E2TE3

Производитель	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Допуск емкости	±10%
Номинальное напряжение	35 В
Ток утечки	7.7 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.06
Эквивалентное последовательное сопротивление	600 мОм мОм
Максимальный ток пульсаций	520 мА
Код корпуса	E
Монтаж	SMD_7343-43
Размер корпуса	7.3x4.3x4.0 мм
Рабочая температура	-55...125 °C
	Standard Industrial Grade
Емкость	22 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	7343-43
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	600.0 mOhm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Высота	0.170" (4.32mm)
Manufacturer Size Code	E
Возможности	General Purpose

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CDRH125NP-680MC		SUMIDA	3 027	44.92
CDRH125NP-680MC				88.00
CDRH125NP-680MC		КИТАЙ
LTST-C150KRKT		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTST-C150KRKT		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTST-C150KRKT		Lite-On Inc
LTST-C150KRKT		LITE-ON
LTST-C150KRKT
LTST-C150KRKT		LIT
MF-SM100-2		BOURNS	478	11.40
MF-SM100-2		BOURNS	157
MF-SM100-2		Bourns Inc
MF-SM100-2			1 030	22.20
MF-SM100-2		POLYTRONICS
MF-SM100-2		38	80	24.21
SSB44-E3/52T		VISHAY
SSB44-E3/52T
SSB44-E3/52T		Vishay/General Semiconductor
SSB44-E3/52T		GENERAL SEMICONDUCTOR	157
SSB44-E3/52T		12	1	15.26
TMMBAT48	Диод переключательный 40V 350mA 10ns MIN	ST MICROELECTRONICS
TMMBAT48	Диод переключательный 40V 350mA 10ns MIN		3	10.08
TMMBAT48	Диод переключательный 40V 350mA 10ns MIN	TOSHIBA	240	3.88
TMMBAT48	Диод переключательный 40V 350mA 10ns MIN	HOTTECH