Версия для печати
Технические характеристики ZX3CDBS1M832TA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN + Diode (Isolated)
Current - Collector (Ic) (Max)	4.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	270mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2A, 2V
Power - Max	3W
Frequency - Transition	140MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-MLP
Корпус	8-MLP/DFN (3x2)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LQH3NPN220NG0L			Murata Electronics North America
		LQH3NPN220NG0L
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	ANALOG DEVICES	1 558	381.60
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	ANALOG
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	ANALOG DEVICES
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	Analog Devices Inc
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	США
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	760
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	1948
		REF194GSZ			ANALOG DEVICES
		REF194GSZ			ANALOG
		REF194GSZ			Analog Devices Inc
		REF194GSZ			США
		REF194GSZ			СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF194GSZ				1	506.90
		REF194GSZ			4-7 НЕДЕЛЬ	661
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	США
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	200
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS	ANALOG DEVICES
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS			327.16
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS	ANALOG
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS	Analog Devices Inc
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS	КИТАЙ
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS	ANALOG DEVICES
		REF196GSZ		ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS	4-7 НЕДЕЛЬ	201

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"