|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-5.6КF |
|
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
0603-5.6КF |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
45 520
|
3.86
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
74 773
|
5.90
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
45 368
|
5.36
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
4 721
|
3.12
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
28
|
2.95
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
34 208
|
8.70
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
|
|
100.00
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NSC
|
1
|
56.68
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NS
|
132
|
60.00
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
|
|
66.12
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NS
|
182
|
60.00
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
625
|
179.81
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|