| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
33 372
|
2.41
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
1 504
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
430
|
2.44
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
52 036
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
2.12
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
2.07
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
8 064
|
1.86
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.09
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
322 487
|
1.06
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
20
|
1.67
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
68 129
|
2.43
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
21 359
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
361
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
46 572
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
132 379
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
751
|
1.47
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS ELECTRONIC
|
57
|
2.42
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
MERRYELC
|
39 552
|
1.09
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
1980
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
40
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
70 440
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
281
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
608 720
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
|
|
10.84
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
NXP
|
230
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN151 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 150 пф, NPO, (5%), 0805
|
YAGEO
|
141 190
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN151 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 150 пф, NPO, (5%), 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN151 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 150 пф, NPO, (5%), 0805
|
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 958
|
53.00
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ОРБИТА
|
8
|
64.03
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
|
15 836
|
17.35
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
TSL
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
САРАНСК
|
381
|
42.40
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
MEV
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
360
|
|
|