|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
293D156X9016B2TE3 |
|
|
VISHAY
|
1 062
|
25.85
|
|
|
|
293D156X9016B2TE3 |
|
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D156X9016B2TE3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
DC COMPONENTS
|
501
|
2.00
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZV55-C4V7 |
|
Стабилитрон If=10mA U=4.7V
|
NEXPERIA
|
976
|
2.63
|
|
|
|
HCPL-3180-300E |
|
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-3180-300E |
|
|
|
|
322.88
|
|
|
|
HCPL-3180-300E |
|
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HCPL-3180-300E |
|
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
HCPL-3180-300E |
|
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HCPL-3180-300E |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
589
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
12 903
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
21 082
|
2.13
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
28 100
|
2.44
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
6 514
|
1.56
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
39 200
|
2.07
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
2 068
|
2.69
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
27 200
|
2.43
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
15 278
|
1.67
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
1
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
3 990
|
2.52
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
12
|
2.61
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
816
|
2.69
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
DC COMPONENTS
|
7 965
|
11.33
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
|
7 774
|
9.54
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
HOTTECH
|
681
|
11.58
|
|