Версия для печати
Технические характеристики 293D336X9016C2TE3

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	33 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	6032-28
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	1.100 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm)
Высота	0.110" (2.79mm)
Manufacturer Size Code	C
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-10K 1%		ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт			1.08  >500 шт.   0.36
		1308ЕУ3БУ				96	5 483.34
		1308ЕУ3БУ				96	5 483.34
		1308ЕУ3БУ			БРЯНСК
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	PHILIPS
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	NXP
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	DC COMPONENTS	144 164	1.83
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	NXP
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	PHILIPS
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KINGTRON
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	YJ
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	EIC
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	YANGJIE (YJ)
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	HOTTECH
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	NEXPERIA
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KEEN SIDE
		BZV55-C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	490	1	2.37
		HCPL-3180-300E			AVAGO
		HCPL-3180-300E					322.88
		HCPL-3180-300E			Avago Technologies US Inc
		HCPL-3180-300E			BROADCOM
		HCPL-3180-300E			BRO/AVAG
		HCPL-3180-300E			4-7 НЕДЕЛЬ	589
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	DC COMPONENTS	166	12.46
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MCC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)		7 610	9.70
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	КИТАЙ
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MIC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	KINGTRONICS
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	PANJIT
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY ME
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TSC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	HOTTECH
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	SEP
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	1750
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	852	1	10.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"