|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
21 629
|
6.30
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
64
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
557
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
RECTRON
|
68
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SEMTECH
|
354
|
11.25
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
2 148
|
8.24
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
---
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
3 225
|
5.36
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GOOD-ARK
|
880
|
9.45
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
8
|
9.45
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
WUXI XUYANG
|
428
|
12.50
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
2 000
|
6.96
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5820 |
|
Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SUNMATE
|
739
|
8.42
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
230.58
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
|
|
119.28
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
505
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
119
|
75.60
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 312
|
88.80
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
772
|
38.57
|
|
|
|
MAX1480BEPI |
|
|
MAXIM
|
4
|
2 982.42
|
|
|
|
MAX1480BEPI |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX1480BEPI |
|
|
|
|
1 978.68
|
|
|
|
MAX1480BEPI |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
288
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
400
|
12.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
12.47
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
2 740
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 398
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|