RES 0805 300K 5%

Версия для печати

Технические характеристики RES 0805 300K 5%

Производитель	ROYAL ELECTRONICS
Номинальное сопротивление	300 кОм
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	0.125 Вт
Тип монтажа	SMD_0805
	RES_CR0805

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
47МКФ 16 (6.3X11,НЕПОЛЯРН.)
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	ON SEMICONDUCTOR
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	FAIR
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	PHILIPS
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	NXP
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V		65 612	1.62 >100 шт. 0.81
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	FAIRCHILD
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	FAIRCHILD
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	NXP	1 964
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	PHILIPS
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	MCC
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	DIOTEC
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	HOTTECH	39 283	1.26 >100 шт. 0.63
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	KLS
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	PANJIT	16	1.20
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	SEMTECH
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	SUNTAN	1 175	1.66 >100 шт. 0.83
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	YJ	207 455	1.23
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	KEFAN	26 400	1.28 >100 шт. 0.64
BC846A	Транзистор биполярный NPN, SMD, 100MA, 65V	SHIKUES	16 223	1.67
BC856A-7-F		DI
BC856A-7-F		Diodes Inc
BC856A-7-F
BC856A-7-F		DIODES
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	DC COMPONENTS	7 968	11.06
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MCC
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)		7 774	9.54
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	КИТАЙ
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MIC
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	KINGTRONICS
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	PANJIT
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY ME
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TSC
W08M	Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	HOTTECH	785	11.04
ЧИП 0805 2.7 5%		YAGEO
ЧИП 0805 2.7 5%		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ЧИП 0805 2.7 5%		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)