BFP420
СВЧ 4.5V 35mA 160mW 25GHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-SOT343-4 |
| Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 4V |
| Power - Max | 160mW |
| Gain | 21dB |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFP420 NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS | 266 | 47.12 | ||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS | 235 |
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом |
|
|
|||
 |
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | BOURNS | 276 | 45.08 | ||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314J-1-500E |
|
Потенциометр 50 Ом |
|
|
|||
 |
 |
GRM188R71C224KA01D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
MURATA |
|
|
||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
MUR | 4 455 |
1.66 >100 шт. 0.83 |
||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
|
|
|||
|
|
|
GRM188R71C224KA01D |
|
MURATA | 15 840 | 1.45 | ||
|
|
IN74AC257D |
|
|
|||||
|
|
IN74AC257D | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
IN74AC257D |
|
|
|||||
|
|
IN74AC257D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 34 |
|
||||
| SDR0503-153JL |
|
31.88 | ||||||
| SDR0503-153JL | BOURNS |
|
|
