Версия для печати
Технические характеристики RC1206JR-075R1L

Сопротивление (Ом)	5.1
Серия	RC1206
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Мощность (Ватт)	0.25W, 1/4W
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±200ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Высота	0.026" (0.65mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	1206 (3216 Metric)
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для поверхностного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт		352	196.40
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FSC
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIRCHILD
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONS
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONS-FAIR	8	306.58
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIR/ONS
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONSEMICONDUCTOR
		FGH60N60SMD			Fairchild Semiconductor
		FGH60N60SMD			FSC
		FGH60N60SMD
		FGH60N60SMD			FAIR
		FGH60N60SMD			FAIRCHILD
		FGH60N60SMD			ONS	32	527.10
		FGH60N60SMD			ONS-FAIR
		FGH60N60SMD			ON SEMICONDUCTOR
		FGH60N60SMD			ONSEMI	2	256.21
		FGH60N60SMD			3
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1	279.00
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VISHAY	3	279.00
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...		36	230.58
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	IXYS
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	Vishay/Siliconix
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	STMicroelectronics
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	КИТАЙ
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERSIL
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VBSEMI
		IRFP460		N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	JSMICRO	812	111.45
		MBRB20200CT			ONS
		MBRB20200CT
		MBRB20200CT
		MBRB20200CT			DIODES
		MBRB20200CT			YJ	4 100	60.74
		MBRB20200CT			SMCMICRO
		MBRB20200CT			YANGZHOU YANGJIE
		SGB10N60A			Infineon Technologies
		SGB10N60A			INFINEON
		SGB10N60A

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"