|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
|
59 600
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
3 808
|
2.70
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
239
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
52 620
|
1.60
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YJ
|
144 394
|
1.33
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
39 246
|
1.26
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NXP
|
6 599
|
2.10
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
|
|
139.20
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS
|
656
|
152.31
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
DC COMPONENTS
|
68 560
|
2.32
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JIFU SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YJ
|
250 110
|
1.66
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
|
41 694
|
1.05
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS
|
4 988
|
12.78
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY ME
|
2 868
|
5.45
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
HOTTECH
|
123 395
|
1.21
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE
|
16 000
|
1.69
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
1
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MDD
|
54 344
|
1.02
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TRR
|
350 400
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
299.18
|
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А
|
|
|
540.52
|
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 562
|
38.99
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
3
|
128.52
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
244
|
|
|