| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
|
2
|
22.08
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
МЕЗОН
|
67
|
113.65
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
|
935
|
37.80
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН2 |
|
(90-97г)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
|
172
|
45.36
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ
|
34
|
26.46
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
35.91
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
630
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
