IXDN609SI

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXDN609SI (4-7 НЕДЕЛЬ)	536	3-4 недели Цена по запросу

IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики IXDN609SI

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	Low-Side
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	40ns
Ток пиковое значение	9A
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Напряжение питания	4.5 V ~ 35 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус	8-SOIC-EP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXDN609SI datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт	TOSHIBA
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт	TOS
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт			177.92
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт	КИТАЙ
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц		164	45.36
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ	34	28.89
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	БРЯНСК
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	RUS
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	РИГА
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	49	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		440	25.76
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN		3 493	49.14
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ	984	28.89
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	ТРАНЗИСТОР
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	БРЯНСК	14 885	31.80
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	МИНСК
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	УЛЬЯНОВСК
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	RUS
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	ИНТЕГРАЛ
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМН
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ ЭЛ	192	14.33
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	12500
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	2244
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	6000
КТ940А	Транзистор средней мощности структуры NPN	240
ОНЦ-ВГ-4-5/16Р		RUS
ОНЦ-ВГ-4-5/16Р
ОНЦ-ВГ-4-5/16Р		КОПИР

IXDN609SI

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают: