10FDZ-BT[S][LF][SN]
![10FDZ-BT[S][LF][SN]](http://www.elekont.ru/images/nofoto_200.gif)
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
VS-10MQ040NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C | 12 000 | 11.69 | ||
|
|
|
VS-10MQ040NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ040NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
VS-10MQ040NTRPBF |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C | VISHAY | 624 | 12.40 | |
 |
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | NXP |
|
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor |
|
18.00 | ||
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | NXP |
|
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | PHILIPS | 40 |
|
|
|
|
|
BSH201 |
|
P-channel enhancement mode mos transistor | JSMICRO | 1 547 | 7.07 | |
| CC0805KRX7R9BB104 /ЧИП 0805-0,1 МКФ-10% X7R 50В /YAGEO |
|
|
||||||
 |
NJM78L03UA-TE1 | MATSUSHITA |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | JRC | 4 134 | 30.15 | ||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 |
|
42.00 | |||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | NJR |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
||||
| ЧИП 0805-0,01 МКФ 10% X7R 50В | 2 040 | 3.78 |
