| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SMT |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
|
|
281.20
|
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
|
103.20
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
SANYO
|
12
|
126.00
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
PMC
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
США
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
|
32
|
126.00
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
PHILIPS
|
41
|
126.00
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
314
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
3 188
|
19.35
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
29.04
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
40
|
49.14
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
|
|
63.88
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
PEACOCK
|
4
|
12.72
|
|