ПРИПОЙ ПОСК 50-18 ПРВ 1.0 КАТУШКА 100ГР

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
120МКФ 400 (22X30)105°C
2SK2765	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 125w	FUJITSU
2SK2765	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 125w			132.00
2SK2765	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 125w	FUJ
2SK2765	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 125w	КИТАЙ
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INFINEON
IRF3710PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A		480	29.99
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...			130.80
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
КП746А				224.56
КП746А		МИНСК	44	94.50