|
Интегральные биполярные микросхемы К1033ЕУ15, К1033ЕУ16 предназначены для построения импульсных источников питания с регулированием по току с минимальным числом внешних элементов и обеспечивают выполнение всех основных функций схемы управления. ИМС содержит термоскомпенсированный источник опорного напряжения,широкополосный усилитель ошибки, ШИМ-компаратор, обеспечивающий регулирование по току, генератор,выходной драйвер полумостового типа и схему контроля нижнего уровня питающего напряжения с гистерезисом. Типономиналы отличаются друг от друга шириной петли гистерезиса схемы контроля нижнего уровня питающего напряжения и величиной максимально возможного коэффициента заполнения ШИМ (около 100% для КР1033ЕУ15 и 50% для КР1033ЕУ16). |
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ 400 (10X21)105°C |
|
|
||||||
| 3900МКФ 16 (16X25)105°C |
|
|
||||||
| 47МКФ 400 (16X32)105°C |
|
|
||||||
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | 4 | 151.20 | ||
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ... | 1 |
|
|
|
| КП746А |
|
224.56 | ||||||
| КП746А | МИНСК | 44 | 94.50 |