|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
DC COMPONENTS
|
5 000
|
12.17
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
|
9 600
|
6.60
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WTE
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MIC
|
8 909
|
7.99
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
JS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YJ
|
531
|
16.84
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
WUXI XUYANG
|
1 280
|
12.05
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE
|
12 480
|
7.57
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
GALAXY MICROELECTRONICS CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KOME
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
HOTTECH
|
15 500
|
11.33
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
1
|
|
|
|
|
|
FR607 |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
|
XUYANG
|
1 414
|
7.60
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
|
7 617
|
16.91
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFR9024 |
|
Транзистор полевой P-канал, -60 V, -8.8 A, Rds = 0.28 Ом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
40
|
48.56
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
429
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
|
11
|
71.82
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
TEXAS
|
16 698
|
19.46
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LP2985-50DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
576
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
86.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
1 189
|
25.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
20 259
|
27.24
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 900
|
21.07
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 560
|
27.44
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
27 649
|
30.91
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
25.98
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
HOTTECH
|
832 000
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
S1M SMA |
|
|
TRR
|
385 600
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|