СБМ-20У

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI ELECTRIC	80	253.76
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJITSU
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W		1	277.50
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJ
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	КИТАЙ
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	ISCSEMI
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	INCHANGE	40	178.42
3.3МКФ 25 (4X5)
HCF4007UBEY	Dual Compl Pair + Invert	ST MICROELECTRONICS
HCF4007UBEY	Dual Compl Pair + Invert	SGS
HCF4007UBEY	Dual Compl Pair + Invert	ST MICROELECTRONICS SEMI
HCF4007UBEY	Dual Compl Pair + Invert	STMicroelectronics
HCF4007UBEY	Dual Compl Pair + Invert
HCF4007UBEY	Dual Compl Pair + Invert	4-7 НЕДЕЛЬ	139
HEF4011BP	Quad 2Inp NAND Gate	PHILIPS
HEF4011BP	Quad 2Inp NAND Gate	NXP	80	45.29
HEF4011BP	Quad 2Inp NAND Gate			28.40
HEF4011BP	Quad 2Inp NAND Gate	NEX
HEF4011BP	Quad 2Inp NAND Gate	4-7 НЕДЕЛЬ	755
К73-9-0.01МКФ 100 (10%)