С2-23 -0.25 ВТ 2.4 КОМ 5%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B |
|
442.36 | |||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | Analog Devices Inc |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | 4-7 НЕДЕЛЬ | 398 |
|
||
| К 174 ХА6, (1990-97Г) | RUS |
|
|
|||||
 |
 |
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 1 | 140.00 | ||
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
|
|
|
| С2-23 -0.25 ВТ 100 ОМ 5% |
|
|
||||||
| С2-23 -0.25 ВТ 3 МОМ 5% | 96 | 1.26 |
