| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
24.67
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
|
2 320
|
6.02
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
97
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
MIC
|
40
|
12.39
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
VISHAY
|
1 854
|
3.28
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
YJ
|
5 208
|
11.94
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
1
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1.5KE27A |
|
Защитный диод 1500Вт, 27В, 5%, до 38А
|
2438
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
|
25 440
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
30 831
|
1.30
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
36 964
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
28 374
|
1.03
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
697
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YJ
|
203 638
|
2.07
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
25 336
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
7 696
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
|
BSP52T1G |
|
NPN-Darl 80V 1A 0,8W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSP52T1G |
|
NPN-Darl 80V 1A 0,8W
|
|
|
20.00
|
|
|
|
|
BSP52T1G |
|
NPN-Darl 80V 1A 0,8W
|
ONS
|
29 460
|
20.37
|
|
|
|
|
BSP52T1G |
|
NPN-Darl 80V 1A 0,8W
|
HOTTECH
|
21 498
|
10.33
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
199.10
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
|
|
174.20
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M41T56M6 |
|
Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
189
|
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTG |
|
|
|
|
39.44
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
65
|
|
|