BFG67/X

Версия для печати

Технические характеристики BFG67/X

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Frequency - Transition	8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Power - Max	380mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 15mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Корпус	SOT-143B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы)

NPN 8 GHz wideband transistors

Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BFG67/X datasheet
136.9Kb
16стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом	BOURNS
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом	BOURNS	235
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом	Bourns Inc
3314G-1-201E	Подстроечный резистор 200 Ом
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	BOURNS
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм	Bourns Inc
3314J-1-503E	Подстроечный резистор 50 кОм
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD
HSMS-2803-TR1		AGILENT TECHNOLOGIES
HSMS-2803-TR1		HEWLETT PACKARD	1 523
HSMS-2803-TR1		AVAGO TECHNOLOGIES	1 684
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	26 330	13.42
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
SDR0503-153JL				31.88
SDR0503-153JL		BOURNS