BFG67/X
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Power - Max | 380mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
| Корпус | SOT-143B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 8 GHz wideband transistors Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм |
|
|
|||
| 3314R-1-501E | BOURNS |
|
|
|||||
| 3314R-1-501E | Bourns Inc |
|
|
|||||
| 3314R-1-501E |
|
|
||||||
| BCR402RE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BCR402RE6327 | INFINEON | 532 |
|
|||||
| BCR402RE6327 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| BCR402RE6327 |
|
|
||||||
 |
 |
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% | CHINA |
|
|
|
|
|
|
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% |
|
134.96 | ||
|
|
|
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% | MUR | 5 723 | 13.64 | |
|
|
|
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% | MURATA |
|
|
|
| SR540 (SR504) (5A 40V) |
|
|
