Версия для печати
Технические характеристики BC856

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	125 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	41 942	1.02
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	416 015	1.48
		1N4007			DIOTEC	71 726	2.58
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	170 323	1.32
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				203 248	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	27	1.44
		1N4007			HOTTECH	60 644	1.42  >100 шт.   0.71
		1N4007			KLS	14 400	2.07
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	20 896	1.40
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	41 040	1.11
		1N4007			TWGMC	100 805	1.50  >500 шт.   0.50
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.35
		1N4007			ASEMI	1	1.36  >100 шт.   0.68
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	365 162	1.04  >100 шт.   0.52
		1N4007			MERRYELC
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	517 840	1.32  >100 шт.   0.66
		1N4007			71682
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	6	5.93
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	251 997	1.23
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	54 421	1.16
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		47 671	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	711 014	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	426	1.15
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	135 822	1.06
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.22
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	6 369	1.06
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 897 078	0.87  >500 шт.   0.29
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	631 189	1.70  >100 шт.   0.85
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	159 560	1.70  >100 шт.   0.85
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	300 000	1.35  >500 шт.   0.45
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	610	1.11  >500 шт.   0.37
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	10 784	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	183 068	1.05  >500 шт.   0.35
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI	213 099	1.17  >500 шт.   0.39
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543
		BC846			PHILIPS
		BC846			NXP
		BC846			PHILIPS
		BC846				22	7.56
		BC846			JSCJ	64 355	1.53
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP	4 800	2.12
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	MCC
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP	17 654
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS	16 810
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NEXPERIA	792	1.52  >100 шт.   0.76
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	KEEN SIDE	4 444	1.48  >100 шт.   0.74
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	990
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	VISHAY	2 400	2.12
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIR
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	DIOTEC	56	2.00
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD	2 683
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MCC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	Fairchild Semiconductor
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223		45 600	1.58  >100 шт.   0.79
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	КИТАЙ
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ONS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YJ	94 282	1.03
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FSC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY ME
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HOTTECH	26 568	1.20  >100 шт.   0.60
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KLS	16	1.25
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	SUNTAN
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE (YJ)
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YOUTAI	673	1.30  >100 шт.   0.65
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSCJ	1 373	1.40  >100 шт.   0.70
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HXY	1 920	1.18  >100 шт.   0.59
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSMICRO	55 279	1.08  >100 шт.   0.54
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	XXW	11 968	1.50  >500 шт.   0.50
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KEEN SIDE	6 232	1.28  >100 шт.   0.64
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	15850
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	RUME	126 320	1.47  >500 шт.   0.49

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"