| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
3 960
|
2.12
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
8
|
2.25
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
57 408
|
1.72
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
421
|
1.71
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
17 291
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
450 380
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
243 138
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
62
|
3.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
39 648
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
58
|
1.01
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
85 267
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
12 392
|
1.32
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 264
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
198 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOS
|
38 064
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MERRYELC
|
344
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1996
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2300
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2975
|
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
|
24
|
7.56
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
JSCJ
|
89 202
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
PHILIPS
|
315
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NXP
|
515
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
|
32 881
|
4.33
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
HOTTECH
|
97 311
|
3.81
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SLKOR
|
5 893
|
4.34
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
YJ
|
178 797
|
3.59
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
JSCJ
|
6 303
|
3.69
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
1
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
TRR
|
30 400
|
3.29
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
JY
|
12 841
|
3.83
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
ZH
|
5 280
|
5.22
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
1 180
|
3.15
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
KEEN SIDE
|
10 514
|
3.61
|
|
|
|
BCP56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250
|
YANGJIE
|
1 984
|
4.03
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
|
10 804
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
DIOTEC
|
42 174
|
2.95
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
6 104
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
OTHER
|
3 066
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
1 166
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YJ
|
85 248
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HOTTECH
|
8 800
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
CJ
|
10 400
|
9.30
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
JSMICRO
|
39 088
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
HXY
|
1 613
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
|
MMBT5401 |
|
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
10 400
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
DIOTEC
|
61
|
2.20
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FAIRCHILD
|
2 683
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
|
46 000
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YJ
|
145 650
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
HOTTECH
|
39 446
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
KLS
|
16
|
1.35
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
YOUTAI
|
29 515
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
JSCJ
|
54 809
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
HXY
|
1 894
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
JSMICRO
|
59 890
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
XXW
|
22 226
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
MMBT5551 |
|
Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223
|
KEEN SIDE
|
6 640
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|