PBSS4350T
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 540mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAP 150/400V 2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В | JAMICON |
|
|
|||
| ECAP 150/400V 2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В |
|
319.08 | ||||
| ECAP 150/400V 2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В | JAM |
|
|
|||
| ECAP 150/400V 2235 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
 |
MMBTH10LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBTH10LT1G | ONS | 14 083 | 6.03 | ||||
|
|
MMBTH10LT1G |
|
4.80 | |||||
|
|
MMBTH10LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 8 817 |
|
||||
| PBSS5540Z | PHILIPS |
|
|
|||||
| PBSS5540Z | 9 | 100.80 | ||||||
| PBSS5540Z | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5540Z | PHILIPS |
|
|
|||||
| PBSS5540Z | NXP | 16 |
|
|||||
 |
|
SG6859TZ |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
SG6859TZ |
|
|
|
|||
|
|
|
SG6859TZ |
|
|
|
|||
|
|
|
SG6859TZ |
|
SGC |
|
|
||
|
|
|
SG6859TZ |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
SG6859TZ |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 375 |
|
||
| КР1056УП1 | 89 | 102.06 | ||||||
| КР1056УП1 | НУКЛОНАС |
|
|
