PBSS4350T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBSS4350T (NXP.)	1 777	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBSS4350T

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	370mV @ 300mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 1A, 2V
Power - Max	540mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2335R				88.00
2SC2335R		FAIR
AT89C51-20PI		ATMEL
AT89C51-20PI				320.00
AT89C51-20PI		4-7 НЕДЕЛЬ	691
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.31
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 920	8.27
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
PBSS5350T		NXP
PBSS5350T		NXP
PBSS5350T
PBSS5350T		NXP SEMICONDUCT
PBSS5350T		NXP/NEXPERIA
PBSS5540Z		PHILIPS
PBSS5540Z			9	100.80
PBSS5540Z		NXP
PBSS5540Z		PHILIPS
PBSS5540Z		NXP	16