PBSS5540Z
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 160mV @ 200mA, 2A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 2A, 2V |
| Power - Max | 2W |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 10 ОМ 5% | HKR |
|
|
|||||
| 1206 10 ОМ 5% |
|
|
||||||
| 1206 10 ОМ 5% | FAT |
|
|
|||||
| 22МКФ 400 (13X20)105°C |
|
|
||||||
 |
MMBTH10LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBTH10LT1G | ONS | 14 552 | 6.03 | ||||
|
|
MMBTH10LT1G |
|
4.80 | |||||
|
|
MMBTH10LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 8 817 |
|
||||
| PBSS4350T | NXP |
|
|
|||||
| PBSS4350T |
|
|
||||||
| PBSS4350T | NXP | 1 777 |
|
|||||
|
|
PBSS4540Z | NXP |
|
|
||||
|
|
PBSS4540Z |
|
|
|||||
|
|
PBSS4540Z |
|
|
|||||
|
|
PBSS4540Z | PH / NXP |
|
|
