Версия для печати
Технические характеристики NCP1219AD100R2G

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 7 leads
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	920mW
Напряжение входное	9 V ~ 20 V
Частотный диапозон	95 ~ 105kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAR43		Диод	FAIR
		BAR43		Диод		19	8.82
		BAR43		Диод	FAIRCHILD
		BAR43		Диод	FAIRCHILD
		BAR43		Диод	OTHER
		BAR43		Диод	Fairchild Semiconductor
		BAR43		Диод	ST MICROELECTRONICS
		BAR43		Диод	ФИЛИППИНЫ
		BAR43		Диод	FSC
		BAR43		Диод	ONS
		BAR43		Диод	ONS-FAIR
		BAR43		Диод	JSCJ	16 436	1.74  >100 шт.   0.87
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ON SEMICONDUCTOR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DC COMPONENTS	8 625	1.08
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DIOTEC
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс		2 704	1.51
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ONS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD	8 101
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS	11 428
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	Fairchild Semiconductor
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ZTX
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	JSCJ	8 404	1.48  >100 шт.   0.74
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	SZOMK	4	1.21
		FMMT459TA			ZTX
		FMMT459TA			ZETEX
		FMMT459TA			ZETEX
		FMMT459TA			Diodes/Zetex
		FMMT459TA				2 384	35.15
		FMMT459TA			DIODES
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 760	8.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения			48.44
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ONS
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	МАЛАЙЗИЯ
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTO
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	4-7 НЕДЕЛЬ	566

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"