| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
|
8
|
56.70
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
HGSEMI
|
1 311
|
9.61
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
119 797
|
1.89
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
5 944
|
4.34
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
43 952
|
2.01
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
30 676
|
5.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
25 704
|
1.88
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСК
|
239
|
21.00
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
СП5-2В - 1 ВТ 330 ОМ |
|
|
|
|
|
|