|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG DEVICES
|
576
|
525.00
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
|
|
599.28
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
139 583
|
2.70
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
16 588
|
5.05
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
99 646
|
2.73
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
24 468
|
5.18
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
255
|
186.87
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
КП307Ж |
|
|
|
|
34.56
|
|
|
|
КП307Ж |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|