CC0805KKX5R8BB475
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW2010330RJNEF | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW2010330RJNEF | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW2010330RJNEF |
|
|
||||||
| CRCW2010330RJNEF | VIS |
|
|
|||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 11 724 | 10.09 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
25.88 | ||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 61 686 | 6.06 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| MUN5311DW1T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MUN5311DW1T1G | ON SEMICONDUCTOR | 20 362 |
|
|||||
| MUN5311DW1T1G | ONS | 2 408 | 6.39 | |||||
| MUN5311DW1T1G |
|
|
||||||
| NCP1406SNT1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1406SNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1406SNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1406SNT1G |
|
49.96 | ||||||
| NCP1406SNT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1406SNT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 787 |
|
|||||
| RC0603JR-07200KL | YAGEO | 393 948 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||||
| RC0603JR-07200KL | YAGEO | 9 677 |
|
|||||
| RC0603JR-07200KL |
|
|
