|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
|
592
|
91.55
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SB817 |
|
Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC5198+2SA1941 ПАРА |
|
Транзисторы биполярные 2SC5198+2SA1941 ПАРА
|
TOS
|
|
|
|
|
|
CDRH2D14NP-2R2NC |
|
Дроссель 2,2мкГн, 1,5А
|
SUMIDA
|
15 389
|
26.32
|
|
|
|
CDRH2D14NP-2R2NC |
|
Дроссель 2,2мкГн, 1,5А
|
|
|
80.60
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
11 700
|
9.80
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
25.88
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
53 010
|
6.01
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ONS
|
15 984
|
8.35
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
|
13 600
|
4.02
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
15 802
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A
|
FUXIN
|
40 056
|
1.11
|
|