| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
24 238
|
1.55
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 158
|
1.96
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
1 439
|
1.28
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.66
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
84 561
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
231 688
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
165 551
|
1.70
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
207
|
1.08
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
57 068
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
200
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
NXP
|
8 362
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
|
6 677
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
DIOTEC
|
2 088
|
1.08
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
NEXPERIA
|
5 825
|
1.60
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
HOTTECH
|
19 380
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
YJ
|
5 585
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C20 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
2968
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
DC COMPONENTS
|
800
|
10.15
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
|
10
|
1.88
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YJ
|
16 510
|
1.16
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
KINGTRONICS
|
2 000
|
5.17
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF12 |
|
Быстрый диод (1А/30А,100В)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
|
|
5.44
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF22 |
|
Быстрый диод 2А/75А,100В
|
YJ
|
8 316
|
2.04
|
|
|
|
STW7N95K3 |
|
N-channel 950 v, 1.1 ?, 7.2 a, to-247 zener-protected supermesh3™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW7N95K3 |
|
N-channel 950 v, 1.1 ?, 7.2 a, to-247 zener-protected supermesh3™ power mosfet
|
|
|
331.40
|
|
|
|
STW7N95K3 |
|
N-channel 950 v, 1.1 ?, 7.2 a, to-247 zener-protected supermesh3™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STW7N95K3 |
|
N-channel 950 v, 1.1 ?, 7.2 a, to-247 zener-protected supermesh3™ power mosfet
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STW7N95K3 |
|
N-channel 950 v, 1.1 ?, 7.2 a, to-247 zener-protected supermesh3™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|