|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
5 525
|
5.17
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
12 785
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
6 680
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
76 577
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.05
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2SK117 |
|
Транзистор полевой
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK117 |
|
Транзистор полевой
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK117 |
|
Транзистор полевой
|
|
1
|
60.00
|
|
|
|
ACS713ELCTR-20A-T |
|
|
ALLEGRO
|
106
|
547.55
|
|
|
|
ACS713ELCTR-20A-T |
|
|
|
|
|
|
|
|
ACS713ELCTR-20A-T |
|
|
Allegro Microsystems Inc
|
|
|
|
|
|
ACS713ELCTR-20A-T |
|
|
ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
|
|
|
|
|
|
ACS713ELCTR-20A-T |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
6
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
|
4
|
114.66
|
|
|
|
KB817-M |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=80..160% 0.2W -30..+100C NBC
|
KB
|
|
|
|
|
|
KB817-M |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=80..160% 0.2W -30..+100C NBC
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KB817-M |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=80..160% 0.2W -30..+100C NBC
|
|
|
15.80
|
|
|
|
KB817-M |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=80..160% 0.2W -30..+100C NBC
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KB817-M |
|
Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=80..160% 0.2W -30..+100C NBC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
226
|
|
|