Версия для печати
Технические характеристики FSQ0365RLX

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	50.5 ~ 95.2kHz
Напряжение входное	8 V ~ 20 V
Напряжение выходное	650V
Мощность (Ватт)	25W
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Корпус (размер)	8-SOP, 8-LSOP
Корпус	8-LSOP

FSQ0365RLX datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2842		Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
		2SK2842		Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W	TOS
		2SK2842		Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W			85.24
		2SK2842		Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт			134.00
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	1
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	622
		IRFP250N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250N		Транзистор полевой	RECTIFIER
		IRFP250N		Транзистор полевой		360	73.04
		IRFP250N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250N		Транзистор полевой	МЕКСИКА
		IRFP250N		Транзистор полевой	INFINEON
		IRFP250N		Транзистор полевой	JSMICRO	203	55.81
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный			463.92
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
		MIP2K4OMS
		MIP2K4OMS			PAN
		MIP2K4OMS
		MIP2K4OMS			MAT
		MIP2K4OMS			4-7 НЕДЕЛЬ	466

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"