Версия для печати
Технические характеристики IRFP250N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	123nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2159pF @ 25V
Power - Max	214W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRFP250N (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP250N datasheet 122.33Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	DC COMPONENTS
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	DIODES
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	GENERAL INSTRUMENT
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	FSC
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	FAIR
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	RECTRON
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	RECTIFIER
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	MOTOROLA
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	CHINA
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	TAIWAN
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	FAIRCHILD
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	DC COMPONENTS
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	DIODES INC.	98
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	FAIRCHILD
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	240
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	MOTOROLA
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	24
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	OTHER
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	RECTRON	6
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	Micro Commercial Co
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	PECTIFIER
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	ТОМИЛИНО
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	TCI
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	DIOTEC	184 377	3.27
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А		40 394	1.76  >100 шт.   0.88
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	КИТАЙ
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	KINGTRONICS
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	ONS-FAIR
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	YJ	30 906	1.45
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	YANGJIE
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	MIC
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	1
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	KEEN SIDE	640	1.08  >100 шт.   0.54
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	371	80	2.11
		1N4001		Выпрямительный диод 50В, 1А	6133	1	1.09
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	13 500	3.53
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 308	4.01
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	47 764	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.94  >100 шт.   0.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	1 376	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.98  >100 шт.   0.99
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725	1	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.52  >100 шт.   0.76
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.54  >100 шт.   0.77
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	160.06
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		IRFI840G		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	116.34
		IRFI840G		Транзистор полевой	RECTIFIER
		IRFI840G		Транзистор полевой	VISHAY
		IRFI840G		Транзистор полевой		2	238.14
		IRFI840G		Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
		IRFI840G		Транзистор полевой	КИТАЙ
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный			463.92
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
		IRG4PC50FD		Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"